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株式会社大阪ケミカル・マーケティング・センターはマーケットリサーチを専門とする1962年設立の実績ある会社です。

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〒543-0001 大阪市天王寺区上本町6-7-21-502

 Vol.3 No.345 超精密研磨の加工技術&半導体

 2026年3月刊行  定価:80,000円(税込み88,000円)      B5判 170ページ
    
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<刊行のねらい> 先端技術で広がる半導体の研磨市場

  1. 世界の半導体市場規模(WSTS)は2024年に6,305億ドルとなり、19.7%の高い伸び率を示した。25年は7,722億ドルで22.5%の増加とみられており、 26年は9,755億ドルで26.3%の増加と予想されている。この高い成長率をもたらしているのはAIサーバーの急増であり、AI向け半導体を販売して いるエヌビディア社は絶好調である。その一方で、車載用SiCパワー半導体が失速し、大手のウルフスピード社は経営破綻した。半導体市場は 目まぐるしく変動しているが、AI関連の成長は力強く、今後も半導体市場を牽引していくであろう。
  2. 半導体の製造工程には様々な研磨プロセスがあり、しかも加工の機会が増えている。マスクブランクス、ウエハ、デバイス、バックグラインドなどの 研磨は定着しており、さらに先端パッケージングにおけるチップの多層化や高密度配線に伴う基板、配線のCMP加工が増えている。このためCMPスラリー ・パッドの需要が増加し、ラッピング、ポリシングの資材も拡大している。研磨材の需要は、チップの生産増加やパッケージング技術の開発によって 今後も増加していくと予想される。
  3. 当センターはこれまでに超精密研磨材のレポートをいくつか刊行し、いずれも好評を博してきた。本レポートは需要が大きく拡大している半導体を 対象に、ラッピング、ポリシング、CMPの技術動向、パッド・スラリーの製品開発や市場動向を精査し、それらの最新動向を整理、編纂したものである。

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1. 世界の半導体マーケット
 1-1 半導体市場の最新動向
  1-1-1 AIが牽引する半導体市場
  1-1-2 EVの停滞とSiCパワー半導体の失速
  1-1-3 前工程から後工程へ移る先端技術
  1-1-4 半導体をめぐる各国の経済安全保障
    ①米国 ②中国 ③EU ④台湾 ⑤韓国
 1-2 半導体の最新マーケット動向
  1-2-1 世界の半導体マーケット
   (1) 半導体の市場規模と予測(製品別、地域別)
   (2) 半導体製造装置の販売額推移
    ①国・地域別販売額 ②装置メーカーのシェア
   (3) 半導体材料の販売額推移
    ①ウエハプロセス材料 ②パッケージング材料
  1-2-2 日本の半導体素子生産量・生産額
    ①シリコンダイオード ②整流素子
    ③トランジスタ(シリコン、IGBT、電界効果型)
    ④サーミスタ ⑤バリスタ ⑥サイリスタ
  1-2-3 半導体各社の競合と市場シェア
    ①半導体各社の売上高(2023~25年)
     1)エヌビディア社 2)サムスン電子
     3)SKハイニクス 4)ブロードコム社
     5)インテル社 6)マイクロン社
     7)クアルコム社 8)AMD社 9)その他
    ②製品別のメーカーシェア
     1)ロジック(プロセッサ、マイコン)
     2)メモリ(DRAM、NAND、HBM)
     3)アナログ(パワー、イメージセンサ、他)
  1-2-4 ファウンドリー各社の市場シェア
    ①TSMC社 ②サムスン ③SMIC社
    ④UMC社 ⑤グローバルファウンドリーズ社、他
  1-2-5 半導体の製造工程・材料と日系企業
   (1) 各工程の参入企業
   (2) 日本の半導体産業戦略
 1-3 半導体用シリコンウエハの市場動向
  1-3-1 世界のシリコンウエハ出荷量、販売額
  1-3-2 シリコンウエハのメーカー動向
    ①信越化学工業 ②SKシルトロン
    ③SUMCO ④シルトロニック社
    ⑤グローバルウエハーズ社 ⑥その他
  1-3-3 テストウエハと再生ウエハ
 1-4 パワー半導体のマーケット動向
  1-4-1 パワー半導体の種類と応用分野
    ①IGBT ②MOSFET ③GOT ④その他
  1-4-2 パワー半導体の材料と需要動向
    ①シリコン ②SiC ③GaN ④その他
  1-4-3 パワー半導体のメーカー動向
    ①インフィニオン社 ②オンセミ社 ③STM社
    ④ウルフスピード社 ⑤ローム ⑥その他
  1-4-4 パワー半導体の現状と展望
   (1) EV市場の失速と中国企業の台頭
   (2) SiCパワー半導体の業界再編成
   (3) AIサーバー向けパワー半導体の成長
 1-5 半導体の新技術と製品開発
  1-5-1 ロジック半導体の回路微細化
    ①EUV露光 ②ArF液浸 ③KrF ④その他
  1-5-2 三次元実装の技術革新
    ①積層型IC ②2.5実装 ③3D実装
2. 超精密研磨の技術と研磨材の開発
 2-1 研磨の方式と種類
    ①固定砥粒研磨 ②遊離砥粒研磨 ③流体研磨
 2-2 固定砥粒研磨の種類と製品
  2-2-1 固定砥粒研磨材の製品と材料
    ①研磨布紙 ②不織布研磨材 ③バフ研磨、他
  2-2-2 研磨フィルムの製品展開
   (1) 研磨フィルムの構造と仕様
   (2) 研磨フィルムの精度と位置づけ
   (3) 研磨フィルムの研磨方式と用途
 2-3 遊離砥粒研磨の種類と材料
  2-3-1 遊離砥粒研磨の原理と精度
    ①ラッピング ②ポリシング ③CMP
  2-3-2 ラッピングのメカニズムと資材
   (1) ラッピングの研磨機構(乾式、湿式)
   (2) 工具・砥粒の種類と加工
  2-3-3 ポリシングの資材と研磨機構
   (1) ポリシングの研磨メカニズム
   (2) 加工変質層と超精密研磨
   (3) ポリシングの資材
  2-3-4 ラッピング、ポリシングの砥粒と被研磨物
  2-3-5 遊離砥粒研磨の課題
 2-4 遊離砥粒研磨のパッドと製品開発
  2-4-1 ポリシング工程とパッドの種類
    ①PU発泡体 ②人工スエード
    ③PU含浸不織布
  2-4-2 パッドの機能と製品開発
   (1) ウレタン含侵不織布
   (2) スエードパッド
    ①パッドの構造 ②発泡層の形状 ③用途展開
   (3) 発泡ポリウレタンパッド
   (4) 砥粒含有パッド
   (5) 発泡エポキシパッド
   (6) 塩化ビニル多孔質パッド
 2-5 半導体製造プロセスとCMP
  2-5-1 CMPの基本構成とメカニズム
   (1) CMPの構成材料
   (2) CMPの研磨方式
   (3) CMPの加工メカニズム
  2-5-2 CMPパッドの製品展開と開発動向
   (1) CMPパッドの機能と要求特性
   (2) CMPパッドの表面加工
   (3) CMPパッドの種類と構造
   (4) スラリーフリーCMPとパッド
   (5) CMPパッドのコンディショナ
  2-5-3 CMPスラリーの製品と開発状況
   (1) CMPスラリーの要求性能
   (2) 砥粒の種類と用途
   (3) スラリーの開発動向
 2-6 半導体開発と研磨の技術開発
  2-6-1 EUV露光とフォトマスク基板
  2-6-2 パワー半導体のウエハ基板
   (1) SiC・GaNデバイスの構造
   (2) SiC・GaNウエハ研磨の製品開発
  2-6-3 研磨の高性能化と材料開発
   (1) 砥粒内包研磨パッド(ノリタケ)
   (2) SiC用ジルコニアナノ粒子(第一稀元素化学)
3. 半導体製造の超精密研磨
 3-1 半導体の製造プロセスと研磨工程
  3-1-1 半導体の製造工程(前工程、後工程)
  3-1-2 半導体製造の研磨加工
    ①マスクブランクス ②デバイス
    ③ウエハ ④ウエハ裏面 ⑤パッケージ
 3-2 マスクブランクスの研磨と技術開発
  3-2-1 フォトマスクの最新動向
   (1) フォトリソグラフィの工程
   (2) 配線の微細化と極端紫外線(EUV)露光
   (3) EUV露光用マスクブランクスの要求精度
  3-2-2 フォトマスク用ガラス基板の研磨技術
  3-2-3 マスクブランクスのメーカー動向
   (1) フォトマスクの内製市場と外販市場
   (2) マスクブランクスのメーカー動向
    ①HOYA ②AGC ③信越化学工業
 3-3 ウエハの製造工程と研磨加工
  3-3-1 シリコンウエハの研磨技術
   (1) シリコンウエハの製造プロセス
    ①スライシング ②べべリング(面取り)
    ③平坦化 ④鏡面化 ⑤その他
   (2) シリコンウエハの研磨プロセスと課題
    ①ラッピング ②エッチング ③ポリシング、他
   (3) シリコンウエハのベベル研磨
  3-3-2 SiCウエハ研磨の課題と技術開発
   (1) SiCインゴットのスライシング
   (2) SiCウエハ研磨の課題と製品開発
   (3) イオンビーム照射による脆化と研磨高速化
   (4) SiCラッピングの研磨能率向上
  3-3-3 GaNウエハ研磨の製品開発
   (1) GaNウエハ研磨の課題
   (2) ウエハ研磨の技術・製品開発
 3-4 半導体デバイス製造とCMP技術
  3-4-1 CMPの基本構成と加工技術
  3-4-2 デバイス製造プロセスと各層の平坦化
   (1) 素子分離(STI-CMP)
   (2) 層間絶縁膜(ILD-CMP)
   (3) タングステンプラグ(W-CMP)
   (4) 銅ダマシン配線(Cu-CMP)
   (5) Low-k層間絶縁
  3-4-3 CMPの表面欠陥と課題
  3-4-4 シリコン貫通電極(TSV)の研磨技術
 3-5 回路形成後の研磨工程
  3-5-1 回路形成後の半導体製造プロセス
    ①BG工程 ②DC工程 ③DB工程
  3-5-2 ウエハのバックグラインド研磨
  3-5-3 TSVのバックグラインド研磨
  3-5-4 工程用粘着テープの需要動向とメーカー
    ①リンテック ②三井化学ICTマテリアル
    ③日東電工 ④レゾナック ⑤古河電気工業
    ⑥積水化学工業 ⑦住友ベークライト、他
 3-6 先端パッケージの開発と基板研磨
  3-6-1 微細加工から後工程による高性能化
   (1) 先端パッケージの構造
   (2) EUV露光の課題
  3-6-2 次世代実装の技術開発と基板
   (1) パッケージ基板の大型化と材料転換
   (2) インターポーザの配線構造と材料
    ①シリコン ②有機材料 ③ガラス
   (3) 角型基板の製品開発
   (4) 角型ガラスコア基板の平坦化
  3-6-3 各種基板の研磨技術
   (1) 角型ガラスコア基板の平坦化
   (2) RDLインターポーザの研磨
  3-6-4 パッケージング用CMPスラリーの開発
    ①富士フイルム ②TOPPAN
4. 超精密研磨材のマーケット動向
 4-1 世界の半導体用CMP市場
  4-1-1 世界のCMP市場規模と推移
   (1) 装置・消耗品の市場規模
   (2) 各種消耗品の市場規模
    ①CMPスラリー ②CMPパッド
    ③コンディショナ
  4-1-2 CMPプロセスのスラリー
    ①Cuバルク ②Cuバリア ③W ④ILD
    ⑤セリア ⑥Poly-Si ⑦その他
  4-1-3 消耗品の需要量
    ①スラリー(重量ベース) ②パッド(枚数ベース)
 4-2 日本の半導体用ポリシング・CMP市場
  4-2-1 半導体用パッド・スラリーの市場規模
    ①ポリシングパッド ②CMPパッド
    ③ポリシングスラリー ④CMPスラリー
    ⑤ラッピングスラリー ⑥その他
  4-2-2 研磨パッドの需要量(面積ベース)
    ①ポリシングパッド ②CMPパッド
 4-3 世界のCMPパッド・スラリーメーカー
  4-3-1 CMPパッドのメーカー動向
    ①デュポン社 ②IVテクノロジーズ社
    ③インテグリス社 ④ハイアンドカンパニー社、他
  4-3-2 CMPスラリーのメーカー動向
    ①インテグリス社 ②富士フイルム
    ③フジミイン ④レゾナック ⑤その他
 4-4 日本のパッド・スラリーメーカー
  4-4-1 研磨パッドのメーカー別動向
    ①フジボウ愛媛 ②ニッタ・デュポン
    ③東レコーテックス ④FILWEL
    ⑤クラレ ⑥九重電気 ⑦Mipox
  4-4-2 研磨スラリーのメーカー動向
    ①フジミインコーポレーテッド
    ②富士フイルム ③レゾナック ④AGC
    

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